OK



Samsung представил 3-битную 20-нм 64 ГБ NAND-флеш память

Компания Samsung уже приступила к производству 3-битной NAND памяти емкостью 64 ГБ, выполненной по нормам 20-нм технологического процесса. Надо отметить, что производство такой памяти, но емкостью 32 ГБ компания начала еще в апреле 2010 года. Такая память уже используется в устройствах от компании Apple, что провоцирует распространение слухов о дальнейшем росте объемов встроенной в iOS-гаджеты памяти при сохранении той же стоимости.

Samsung представил 3-битную 20-нм 64 ГБ NAND-флеш память


На фото память Samsung, выполненная по 30-нм техпроцессу


Такое развитие обеспечивает удвоение емкости памяти при одновременном 60% приросте производительности в сравнении с памятью того же объема, выполненной по 30-нм техпроцессу, которая поставлялась на рынок всего год назад. Новая NAND-флеш память использует чипы емкостью 8 ГБ в сравнении с более ранними образцами, в которых на один чип приходилось только 4 ГБ. Также в устройствах используется технология Toggle DDR, которая обеспечивает большую скорость работы для оперативной флеш памяти. Компания Samsung является одним из крупнейших производителей флеш памяти в мире, при этом на ее долю приходится не менее 40% от всего выпуска NAND памяти. Новые модули 3-битной NAND памяти емкостью 64 ГБ, выполненной по нормам 20-нм технологического процесса, найдут применение в SSD накопителях и картах памяти SD-формата.

Другие новости на эту тему Samsung представил 3-битную 20-нм 64 ГБ NAND-флеш память:

20-нм карты памяти от Samsung
Компания Samsung сообщила о завершении разработки плат MLC NAND флэш-памяти, выполненной по 20-нм технологическому процессу. Данная разработка будет использоваться в картах памяти SD-формата и позволит компании расширить ассортимент флэш-накопителей Samsung с емкостью до 32 ГБ, используемых в смартфонах, электронных устройствах и высокопроизводительных картах памяти. Чипсеты MLC NAND флэш-памяти, выполненной по 20-нм технологическому процессу, обладают [...]

Intel начинает массовое производство 25 нм чипов NAND памяти емкостью 8 Гб
Корпорация Intel начала широкомасштабные поставки чипов NAND памяти, изготовленных по нормам 25 нм техпроцесса. Переход на более ldquo;тонкуюrdquo; технологию производства позволил уменьшить ...

Toshiba начнет выпуск 19-нм флеш-памяти
Компания Toshibanbsp;объявила о готовности к производству флеш-памяти типа NAND сnbsp;соблюдением 19-нмnbsp;норм технологическогоnbsp;процесса.В пресс-релизе компании сообщается, что образцы ...

Samsung начинает выпуск скоростной 64 Гбит MLC NAND с интерфейсом Toggle DD ...
Менее года прошло с того момента, как Samsung и Toshiba объединили усилия для разработки более быстрой памяти типа NAND. И вот теперь южнокорейский электронный гигант официально объявил о начале ...

Samsung представил высокоскоростной 512 Гб SSD диск на основе асинхронной D ...
Компания Samsung Electronics представила первый твердотельный накопитель (SSD), использующий асинхронную DDR NAND флэш-память. Новый диск, объемом 512 Гб, со слов компании, обеспечивает высокую ...

Hynix: массовое производство NAND памяти на 64 Гбит по 20 нм технологии
Известный южнокорейский производитель памяти компания Hynix Semiconductor объявила о начале массового производства чипов NAND памяти плотностью 64 Гбит с использованием технологического процесса ...

Новая флеш-память от Samsung: дешевле и быстрее
Южнокорейская компания Samsung Electronics анонсировала выпуск новых чипов флеш-памяти NAND-типа, созданных по техпроцессу 20-нм класса. nbsp; По заявлению производителя, новые чипы ...

Toshiba разрабатывает NAND память DDR Toggle Mode и обещает более скоростны ...
Японская корпорация Toshiba (точнее, ее подразделение Toshiba America Electronic Components, TAEC) представила свое первые чипы NAND памяти типа DDR Toggle Mode, изготовленные по нормам 32 нм ...

Micron и Unity разработают альтернативу флеш-памяти
Компания Unity Semiconductor подписала соглашение с Micron Technology о совместной разработке памяти нового поколения CMOx, которая призвана заменить традиционную флеш-памяти типа NAND в ...

24-нм флеш-память Toshiba – для iPhone 5?
Компания Toshiba обновила сведения о производимой ей NAND-флеш памяти, что может указывать на то, что именно новое поколение данной памяти будет предназначено для iPhone 5. Новая версия называется SmartNAND и выполнена по 24-нм техпроцессу. Объем памяти может составлять до 64 ГБ и она «предназначена для медиаплееров, планшетных компьютеров и других устройств». Кроме уменьшения физических размеров [...]

Samsung представил первый в мире 64-битный MLC NAND-флэш модуль памяти, исп ...
Южнокорейская компания Samsung Electronics объявила о том, что первой в мире начала выпуск 64-битных многоячеистых NAND микросхем памяти, использующих высокопроизводительный интерфейс DDR 2.0 и изготовленных по 20-нм технологическому процессу.Данная новинка предназначена для использования в высокопроизводительных мобильных устройствах, таких как смартфоны, планшетные ПК и твердотельные накопители (SSD диски). Она обеспечивает скорость передачи до 400 Мбит/сек, что [...]

Intel и Micron создали 25 нм NAND с плотностью записи 3 бита на ячейку
Компании Intel и Micron Technology разработали первые образцы более совершенного типа флеш-памяти NAND. Чипы памяти выполнены по 25 нм технологии и плотность записи у них составляет 3 бита на ...

Samsung moviNAND: быстрая флеш-память для смартфонов
Второй после Nokia крупнейший в мире производитель мобильных телефоновсобирается оснащать все свои смартфоны высокопроизводительнымифлеш-чипами встроенной памяти moviNAND объемом на 8 и 16 Гбайт.

Intel придумала NAND-чип с самой высокой плотностью
Гигант микропроцессорной отрасли начал поставки производителям оборудования 25-нм микросхем флеш-памяти типа NAND с удвоенной по сравнению с предыдущими 34-нм чипами емкостью.

Toshiba создала мобильную флеш-память на 128 Гбайт
Японская корпорация представила микросхемы флеш-памяти типа NAND емкостью 128 Гбайт, предназначенные для установки в MP3-проигрыватели и телефоны. Столь объемные чипы встроенной флеш-памяти являются рекордными для отрасли.

Apple разместила заказы на производство модулей памяти DRAM и NAND в Японии ...
Apple не покидает попыток снижения зависимости от поставок комплектующих для своей продукции от компании Samsung, патентная война с которой с каждым днем становится все более ожесточенной.По данным ...

Цены на NAND-флеш память вырастут
В связи с продолжающимся ростом спроса на микросхемы флеш-памяти типа NAND уже в третьем квартале цены на них однозначно поднимутся, предупреждают аналитики iSuppli. Рост объясняется подготовительным этапом вендоров к предпраздничному ажиотажу, когда потребители буквально сметают с полок практически любые электронные устройства.

Apple увеличит закупки NAND и RAM памяти в Японии
Ресурс Digitimes сообщает, что согласно инсайдерских данных, компания Apple в ближайшее время намерена увеличить заказы на NAND и RAM память, размещаемые на японском рынке. С обращениями по поводу возможности наращивания поставок данных видов памяти компания обратилась к производителям Elpida и Toshiba. Предполагается, что таким образом в Apple намерены уменьшить зависимость от корейской компании Samsung, которая [...]

Toshiba вступает в борьбу с Samsung за место крупнейшего производителя NAND ...
В настоящий момент крупнейшим производителем флэшевой памяти для мобильных устройств является компания Samsung. Но в ближайшее время это положение может измениться. По крайней мере, в штаб-квартире Toshiba считают, что доминированию Samsung в области производства NAND-памяти может прийти конец, поскольку японский производитель может занять нишу образовавшуюся в связи с превышением спроса над предложением на данные устройства. [...]

Цена на флеш-память упали на 20%
Контрактные цены на NAND-микросхемы флеш-памяти, которой оснащены устройства вроде iPhone и iPad, в мае потеряли в цене почти пятую часть ввиду низкого на них спроса не только со стороны Apple, но и прочих крупных клиентов.

Samsung представляет 8GB и 16GB moviNAND память для смартфонов
В дополнение к процессору Orion ARM Cortex A9, компания Samsung анонсировала чипы встроенной памяти moviNAND объемом 8 и 16 ГБ для использования в смартфонах.Новые NAND flash чипы южнокорейского ...

Грядет бестранзисторная замена флеш-памяти
Unity Semiconductor и Micron Technology договорились о двухлетнем приложении совместных усилий к разработке нового типа твердотельной памяти CMOx, которая, будучи призванной заменить флеш-память типа NAND, не требует участия транзисторов.

Стандарт ONFI 3.0 доводит скорость флеш-памяти до 400 МБ/с
Рабочая группа Open NAND Flash Interface (ONFI), отраслевая организация, добивающаяся упрощения интеграции NAND памяти в потребительскую электронику, компьютерные платформы и промышленные ...

Следующий iPhone угрожает отрасли флеш-памяти
Как предрекают эксперты DRAMeXchange, выход iPhone следующего поколения вновь приведет к нехватке микросхем флеш-памяти. Связано это с тем, что смартфоны Apple снабжены внушительными по емкости NAND-чипами, соответственно производители должны работать на полную катушку.

Samsung представила самую быструю флеш-память для мобильных устройств
Южнокорейский производитель выпустил одну из самых скоростных микросхем флеш-памяти для мобильных устройств. Чип OneNAND располагает объемом в 1 гигабит и построен на 30-нм технологическом процессе.

SanDisk iSSD: гибрид SSD-накопителей и флеш-памяти типа NAND
Американская компания представила совершенно новый класс твердотельных накопителей, призванных прийти на смену не только привычной флеш-памяти типа NAND, но и даже SSD-накопителям. Новинка предназначена для хранения данных в мобильных телефонах, смартфонах, планшетах и лэптопах, в том числе нетбуках и смартбуках.

IBM готовит конкурента NAND флеш
Исследователи IBM официально сообщили о важном достижении, которое может серьезно повлиять на облик будущих систем хранения информации. Речь в данном случае идет о разработке нового вида памяти ...

Флеш-памяти выгоден рост популярности мобильного Интернета
Отрасль, выпускающая микросхемы флеш-памяти типа NAND, получает внушительную подпитку благодаря распространению смартфонов и переходу центров обработки данных на «зеленые» технологии.

Флеш-память NAND-типа стала плотнее
Intel и Micron Technology анонсировали флеш-память типа NAND с более плотной упаковкой данных. Новинка пригодится в целях экономии места на платах с попутным ростом емкости запоминающих устройств в потребительской электронике.

Toshiba представила самые емкие NAND Flash модули памяти
При официальном представлении телефона iPhone 4 несколько удивительным было отсутствие модели с объемом памяти 64 ГБ, хотя соответствующий модуль был представлен компанией Toshiba еще в декабре минувшего года. Впрочем, нельзя исключать, что о телефонах и планшетах с 64 ГБ встроенной памяти мы еще услышим, а заодно и о моделях с вдвое большим объемом. Сегодня компания [...]

Apple повременит с заключением контрактов на поставку флеш-памяти
Словно Джулия Ламберт, Apple решила выдержать эффектную паузу, попридержав заключение новых контрактов на поставку модулей флеш-памяти типа NAND, широко используемых в iPhone, iPod touch и новейшем iPad.

Samsung выпускает высокопроизводительные карты памяти для 4G смартфонов
Южнокорейская компания Samsung Electronics объявила о выпуске высокопроизводительных microSD карт памяти с высокой скоростью передачи данных, которые, как считает производитель, так необходимы для мобильных терминалов, поддерживающих сети четвертого поколения.Новые 32 Гб карты, которые соответствуют классу скорости Class 10, поддерживают скорость передачи данных при записи до 12 Мб/сек, и до 24 Мб/сек при чтении. Новинка оснащена [...]

Apple должна перейти на флеш-память нового класса
Купертино еще не одобрило микросхемы флеш-памяти, выполненные по технологическому процессу, меньшему 30 нм, утверждают инсайдеры. Ни 20-нм флеш-модули Samsung, ни 24-нм Toshiba-чипы пока не сертифицированы компанией Стива Джобса.

Флеш-память подешевеет до $1 за гигабайт
Цены на флеш-память способны достичь уровня $1/Гбайт, хотя это может оказаться недостаточным для разжигания интереса к SSD-накопителям, предупреждают аналитики iSuppli. Если в начале года 1 Гбайт стандартной флеш-памяти типа NAND стоили $2, то к осени они упадут до $1,20 за микросхемы с плотностью упаковки три бита на ячейку.

Обновленные MacBook Air могут получить скоростные накопители
Продолжает стекаться информация об ультратонких ноутбуках MacBook Air следующего поколения, дебют которых может состояться в середине текущего месяца. Согласно сведениям Macotokara со ссылкой на ...

MacBook Air получат невероятно производительную флеш-память
Apple, сообразно слухам, оснастит «самые тонкие и легкие» ноутбуки планеты, обновление которых состоится уже в этом месяце, высокоскоростными 19-нм NAND-микросхемами флеш-памяти, способными обмениваться данными с производительностью 400 Мбайт/с.

SSD ускорятся вдвое
Рабочая группа, занимающаяся стандартизацией интерфейсов флеш-памяти типа NAND, анонсировала ONFI 3.0, спецификации на флеш-контроллеры, призванные удвоить скорость передачи данных SSD-накопителей вплоть до 400 Мбайт/с.

19-нм память Toshiba намекает на 128 ГБ модули для телефонов?
Компания Toshiba представила твердотельные накопители, построенные с использованием 19-нанометрового технологического процесса. Модули построены по схеме два бита на ячейку и 8 ГБ на чип, что позволяет вдвое уменьшить общий размер модуля памяти. Такой переход позволяет соответственно удвоить и объем памяти встраиваемой в устройство — на место прежних 64 ГБ можно поместить чипсет из 16 чипов, [...]

Apple iCloud разрушит отрасль флеш-памяти
Некоторые отраслевые игроки обеспокоены тем, что Apple, крупнейший в мире потребитель флеш-памяти типа NAND, запуском своей облачной службы iCloud вызовет изрядное падение спроса на искомые микросхемы.

OCZ Z-Drive R2 – новые скоростные SSD накопители с PCI-Express
Компания OCZ Technology Group, являющаяся одним из лидеров в разработке решений на основе флеш-памяти, объявила о планах начать серийное производство новой серии SSD накопителей под названием ...


Уважаемый посетитель, Вы зашли на сайт как незарегистрированный пользователь. Мы рекомендуем Вам зарегистрироваться либо войти на сайт под своим именем.

Логин

Опрос

Оцените работу движка

Лучший из новостных
Неплохой движок
Устраивает ... но ...
Встречал и получше
Совсем не понравился

Copyright © 2010.mobilesobzor.com All Rights Reserved.

Ресурс mobilesobzor .com является общедоступным для всех зарегистрированных пользователей и осуществляет свою деятельность с соблюдением действующего законодательства. Администрация ресурса не осуществляет контроль и не может отвечать за размещаемую пользователями на портале mobilesobzor .com информацию. Вместе с тем, Администрация ресурса резко отрицательно относится к нарушению авторских прав на территории mobilesobzor .com. Поэтому, если Вы являетесь правообладателем исключительных имущественных прав и Ваши права тем или иным образом нарушаются с использованием данного ресурса, мы просим незамедлительно сообщать в службу рассмотрения жалоб письмом (в электронном виде), используя приведенную ниже форму. Ваше сообщение в обязательном порядке будет рассмотрено; Вам поступит сообщение о результатах проведенных действий, относительно предполагаемого нарушения исключительных прав. При получении Вашего сообщения с корректно и максимально полно заполненными данными ему будет присвоен входящий номер и отправлено на адрес отправителя подтверждение получения письма. Жалоба будет рассмотрена в срок, не превышающий 5 (пяти) рабочих дней. Согласно действующим нормам законодательства администрация готова рассмотреть спорные вопросы в рамках досудебного (претензионного или иного) порядка урегулирования. Общие правила поведения на сайте: Начнем с того, что на сайте общаются сотни людей, разных религий и взглядов, и все они являются полноправными посетителями нашего сайта, поэтому если мы хотим чтобы это сообщество людей функционировало нам и необходимы правила. Мы настоятельно рекомендуем прочитать настоящие правила, это займет у вас всего минут пять, но сбережет нам и вам время и поможет сделать сайт более интересным и организованным. Начнем с того, что на нашем сайте нужно вести себя уважительно ко всем посетителям сайта. Не надо оскорблений по отношению к участникам, это всегда лишнее. Если есть претензии - обращайтесь к Админам или Модераторам (воспользуйтесь личными сообщениями). Оскорбление других посетителей считается у нас одним из самых тяжких нарушений и строго наказывается администрацией. У нас строго запрещен расизм, религиозные и политические высказывания. Заранее благодарим вас за понимание и за желание сделать наш сайт более вежливым и дружелюбным. На сайте строго запрещено: - сообщения, не относящиеся к содержанию статьи или к контексту обсуждения - оскорбление и угрозы в адрес посетителей сайта - в комментариях запрещаются выражения, содержащие ненормативную лексику, унижающие человеческое достоинство, разжигающие межнациональную рознь - спам, а также реклама любых товаров и услуг, иных ресурсов, СМИ или событий, не относящихся к контексту обсуждения статьи Давайте будем уважать друг друга и сайт, на который Вы и другие читатели приходят пообщаться и высказать свои мысли. Администрация сайта оставляет за собой право удалять комментарии или часть комментариев, если они не соответствуют данным требованиям. При нарушении правил вам может быть дано предупреждение. В некоторых случаях может быть дан бан без предупреждений. По вопросам снятия бана писать администратору. Оскорбление администраторов или модераторов также караются баном - уважайте чужой труд. Для читателей сайта: Если у Вас есть материалы, которые могут дополнить или улучшить сайт, то мы будем рады разместить Ваши материалы на сайте, указав, при желании, Вас в качестве журналиста проекта. Участвуйте в нашем проекте. Давайте вместе делать ресурс лучше, ведь вместе мы добьемся лучшего! В случае, если Вы нашли какую-либо ошибку или неточность, то Вы можете сообщить об этом используя следующий e-mail адрес: mobilesobzor @yandex.ru Будем рады, если наш ресурс принес Вам пользу. Ждем Вас снова!