OK



Samsung представил первый в мире 64-битный MLC NAND-флэш модуль памяти, использующий интерфейс DDR 2.0

Южнокорейская компания Samsung Electronics объявила о том, что первой в мире начала выпуск 64-битных многоячеистых NAND микросхем памяти, использующих высокопроизводительный интерфейс DDR 2.0 и изготовленных по 20-нм технологическому процессу.
Samsung представил первый в мире 64-битный MLC NAND-флэш модуль памяти, использующий интерфейс DDR 2.0

Данная новинка предназначена для использования в высокопроизводительных мобильных устройствах, таких как смартфоны, планшетные ПК и твердотельные накопители (SSD диски). Она обеспечивает скорость передачи до 400 Мбит/сек, что в 10 раз превышает 40-битные SDR NAND модули памяти, широко используемые в настоящее время, а также в три раза превышают по скорости 32-битные DDR NAND флэш модули памяти, использующие интерфейс DDR 1.0.
Samsung представил первый в мире 64-битный MLC NAND-флэш модуль памяти, использующий интерфейс DDR 2.0



Samsung представил первый в мире 64-битный MLC NAND-флэш модуль памяти, использующий интерфейс DDR 2.0

Samsung представил первый в мире 64-битный MLC NAND-флэш модуль памяти, использующий интерфейс DDR 2.0




Samsung представил первый в мире 64-битный MLC NAND-флэш модуль памяти, использующий интерфейс DDR 2.0

Другие новости на эту тему Samsung представил первый в мире 64-битный MLC NAND-флэш модуль памяти, использующий интерфейс DDR 2.0:

Samsung представил высокоскоростной 512 Гб SSD диск на основе асинхронной D ...
Компания Samsung Electronics представила первый твердотельный накопитель (SSD), использующий асинхронную DDR NAND флэш-память. Новый диск, объемом 512 Гб, со слов компании, обеспечивает высокую ...

20-нм карты памяти от Samsung
Компания Samsung сообщила о завершении разработки плат MLC NAND флэш-памяти, выполненной по 20-нм технологическому процессу. Данная разработка будет использоваться в картах памяти SD-формата и позволит компании расширить ассортимент флэш-накопителей Samsung с емкостью до 32 ГБ, используемых в смартфонах, электронных устройствах и высокопроизводительных картах памяти. Чипсеты MLC NAND флэш-памяти, выполненной по 20-нм технологическому процессу, обладают [...]

Samsung начинает выпуск скоростной 64 Гбит MLC NAND с интерфейсом Toggle DD ...
Менее года прошло с того момента, как Samsung и Toshiba объединили усилия для разработки более быстрой памяти типа NAND. И вот теперь южнокорейский электронный гигант официально объявил о начале ...

Toshiba начнет выпуск 19-нм флеш-памяти
Компания Toshibanbsp;объявила о готовности к производству флеш-памяти типа NAND сnbsp;соблюдением 19-нмnbsp;норм технологическогоnbsp;процесса.В пресс-релизе компании сообщается, что образцы ...

Samsung представил 3-битную 20-нм 64 ГБ NAND-флеш память
Компания Samsung уже приступила к производству 3-битной NAND памяти емкостью 64 ГБ, выполненной по нормам 20-нм технологического процесса. Надо отметить, что производство такой памяти, но емкостью 32 ГБ компания начала еще в апреле 2010 года. Такая память уже используется в устройствах от компании Apple, что провоцирует распространение слухов о дальнейшем росте объемов встроенной в iOS-гаджеты [...]

Samsung показал опытные образцы высокопроизводительных MLC SSD дисков для п ...
Южнокорейская компания Samsung Electronics объявила о начале производства первых опытных образцов твердотельных дисков (SSD) с использованием микросхем NAND флешь памяти, использующих технологию многоуровневых ячеек (MLC) и произведенных по 30 нм технологическому процессу.Массовое производство MLC SSD дисков намечено компанией на следующий месяц. В продажу поступят 2,5-дюймовые модели объемом 100, 200 и 400 Гб, а также 3,5-дюймовые [...]

Samsung выпускает высокопроизводительные карты памяти для 4G смартфонов
Южнокорейская компания Samsung Electronics объявила о выпуске высокопроизводительных microSD карт памяти с высокой скоростью передачи данных, которые, как считает производитель, так необходимы для мобильных терминалов, поддерживающих сети четвертого поколения.Новые 32 Гб карты, которые соответствуют классу скорости Class 10, поддерживают скорость передачи данных при записи до 12 Мб/сек, и до 24 Мб/сек при чтении. Новинка оснащена [...]

Hynix: массовое производство NAND памяти на 64 Гбит по 20 нм технологии
Известный южнокорейский производитель памяти компания Hynix Semiconductor объявила о начале массового производства чипов NAND памяти плотностью 64 Гбит с использованием технологического процесса ...

Samsung разработал новые DRAM модули памяти с низким энергопотреблением и в ...
Южнокорейская компания Samsung Electronics объявила о разработке 1 Гигабитных DRAM модулей памяти с низким энергопотреблением  и высокоскоростной шиной передачи данных (wide I/O mobile DRAM). При производстве новых модулей используется 50 нм технологический процесс. Основное применение объявленного продукта – мобильные устройства, такие как смартфоны и планшетные компьютеры.Новые 1 Гигабитные модули позволяют передавать данные со скоростью до [...]

Intel начинает массовое производство 25 нм чипов NAND памяти емкостью 8 Гб
Корпорация Intel начала широкомасштабные поставки чипов NAND памяти, изготовленных по нормам 25 нм техпроцесса. Переход на более ldquo;тонкуюrdquo; технологию производства позволил уменьшить ...

Intel придумала NAND-чип с самой высокой плотностью
Гигант микропроцессорной отрасли начал поставки производителям оборудования 25-нм микросхем флеш-памяти типа NAND с удвоенной по сравнению с предыдущими 34-нм чипами емкостью.

Toshiba разрабатывает NAND память DDR Toggle Mode и обещает более скоростны ...
Японская корпорация Toshiba (точнее, ее подразделение Toshiba America Electronic Components, TAEC) представила свое первые чипы NAND памяти типа DDR Toggle Mode, изготовленные по нормам 32 нм ...

Toshiba удвоила прибыль благодаря комплектующим для смартфонов
Операционная прибыль японской Toshiba Corp. выросла более чем в два раза благодаря высоким продажам чипов флэш-памяти NAND и жидкокристаллических экранов, использующихся в смартфонах и планшетных компьютерах, таких как iPad и iPhone от Apple.

Toshiba вступает в борьбу с Samsung за место крупнейшего производителя NAND ...
В настоящий момент крупнейшим производителем флэшевой памяти для мобильных устройств является компания Samsung. Но в ближайшее время это положение может измениться. По крайней мере, в штаб-квартире Toshiba считают, что доминированию Samsung в области производства NAND-памяти может прийти конец, поскольку японский производитель может занять нишу образовавшуюся в связи с превышением спроса над предложением на данные устройства. [...]

Toshiba представила самые емкие NAND Flash модули памяти
При официальном представлении телефона iPhone 4 несколько удивительным было отсутствие модели с объемом памяти 64 ГБ, хотя соответствующий модуль был представлен компанией Toshiba еще в декабре минувшего года. Впрочем, нельзя исключать, что о телефонах и планшетах с 64 ГБ встроенной памяти мы еще услышим, а заодно и о моделях с вдвое большим объемом. Сегодня компания [...]

Стандарт ONFI 3.0 доводит скорость флеш-памяти до 400 МБ/с
Рабочая группа Open NAND Flash Interface (ONFI), отраслевая организация, добивающаяся упрощения интеграции NAND памяти в потребительскую электронику, компьютерные платформы и промышленные ...

Apple разместила заказы на производство модулей памяти DRAM и NAND в Японии ...
Apple не покидает попыток снижения зависимости от поставок комплектующих для своей продукции от компании Samsung, патентная война с которой с каждым днем становится все более ожесточенной.По данным ...

Новая флеш-память от Samsung: дешевле и быстрее
Южнокорейская компания Samsung Electronics анонсировала выпуск новых чипов флеш-памяти NAND-типа, созданных по техпроцессу 20-нм класса. nbsp; По заявлению производителя, новые чипы ...

SanDisk iSSD: гибрид SSD-накопителей и флеш-памяти типа NAND
Американская компания представила совершенно новый класс твердотельных накопителей, призванных прийти на смену не только привычной флеш-памяти типа NAND, но и даже SSD-накопителям. Новинка предназначена для хранения данных в мобильных телефонах, смартфонах, планшетах и лэптопах, в том числе нетбуках и смартбуках.

Toshiba внедрит MRAM в жесткие и флеш-диски
На днях компания Toshiba провела корпоративное мероприятие, в рамках которого были раскрыты некоторые особенности технологии STT-MRAM. Напомним, она разрабатывается совместными силами Toshiba и Hynix ...

Apple увеличит закупки NAND и RAM памяти в Японии
Ресурс Digitimes сообщает, что согласно инсайдерских данных, компания Apple в ближайшее время намерена увеличить заказы на NAND и RAM память, размещаемые на японском рынке. С обращениями по поводу возможности наращивания поставок данных видов памяти компания обратилась к производителям Elpida и Toshiba. Предполагается, что таким образом в Apple намерены уменьшить зависимость от корейской компании Samsung, которая [...]

Samsung Electronics: самые лучшие продажи
Первый в мире производитель микросхем, NAND-чипов, DRAM-памяти, плоских ЖК-панелей и телевизоров, а также второй после Nokia вендор мобильных телефонов сообщил, что третий квартал стал самым лучшим отчетным периодом по объемам продаж в денежном эквиваленте за всю историю компании.

Следующий iPhone угрожает отрасли флеш-памяти
Как предрекают эксперты DRAMeXchange, выход iPhone следующего поколения вновь приведет к нехватке микросхем флеш-памяти. Связано это с тем, что смартфоны Apple снабжены внушительными по емкости NAND-чипами, соответственно производители должны работать на полную катушку.

Intel планирует выпустить сверхбыстрые SSD Lyndonville на базе 25 нм NAND ч ...
Появились свежие подробности о планах корпорации Intel на рынке SSD накопителей. На сегодняшний день самыми быстрыми твердотельными дисками от данного производителя являются решения ...

OCZ Z-Drive R2 – новые скоростные SSD накопители с PCI-Express
Компания OCZ Technology Group, являющаяся одним из лидеров в разработке решений на основе флеш-памяти, объявила о планах начать серийное производство новой серии SSD накопителей под названием ...

Гибридный накопитель Seagate Momentus XT = HDD + 4 Гб NAND памяти
Компания Seagate Technology известна как ведущий мировой производитель самых разнообразных жестких дисков, в том числе и компактных винчестеров для мобильных компьютеров. Однако модель Momentus ...

OCZ Vertex 2 и Agility 2 - производительные SSD с контроллером SandForce SF ...
Компания OCZ Technology Group, являющаяся одним из ведущих производителей решений на основе NAND памяти, представила новые SSD накопители Vertex 2 и Agility 2. Одной из главных особенностей ...

Samsung moviNAND: быстрая флеш-память для смартфонов
Второй после Nokia крупнейший в мире производитель мобильных телефоновсобирается оснащать все свои смартфоны высокопроизводительнымифлеш-чипами встроенной памяти moviNAND объемом на 8 и 16 Гбайт.

Твердотельные mSATA накопители Samsung PM830 выходят на стадию серийного пр ...
Сообщается о начале массового производства компанией Samsung Electronics своих твердотельных накопителей серии PM830, соответствующих параметрам форм-фактора mSATA и ориентированных на применение в ...

SSD ускорятся вдвое
Рабочая группа, занимающаяся стандартизацией интерфейсов флеш-памяти типа NAND, анонсировала ONFI 3.0, спецификации на флеш-контроллеры, призванные удвоить скорость передачи данных SSD-накопителей вплоть до 400 Мбайт/с.

Intel и Micron создали 25 нм NAND с плотностью записи 3 бита на ячейку
Компании Intel и Micron Technology разработали первые образцы более совершенного типа флеш-памяти NAND. Чипы памяти выполнены по 25 нм технологии и плотность записи у них составляет 3 бита на ...

Patriot оснащает свои SSD накопители Zephyr контроллером JMicron JMF612
Один из ведущих мировых поставщиков решений на основе NAND памяти компания Patriot Memory анонсировала новое семейство твердотельных накопителей под названием Zephyr. Новинки выполнены в ...

Флеш-памяти выгоден рост популярности мобильного Интернета
Отрасль, выпускающая микросхемы флеш-памяти типа NAND, получает внушительную подпитку благодаря распространению смартфонов и переходу центров обработки данных на «зеленые» технологии.

Micron и Unity разработают альтернативу флеш-памяти
Компания Unity Semiconductor подписала соглашение с Micron Technology о совместной разработке памяти нового поколения CMOx, которая призвана заменить традиционную флеш-памяти типа NAND в ...

VIA обещает сверхскоростные флешки с новым "USB to NAND" контроллером
Скорость работы USB накопителей не в последнюю очередь зависит от того, какой контроллер в них используется. Поэтому нашим читателям, думается, будет небезынтересно узнать, что фирма VIA Labs, ...

Цены на NAND-флеш память вырастут
В связи с продолжающимся ростом спроса на микросхемы флеш-памяти типа NAND уже в третьем квартале цены на них однозначно поднимутся, предупреждают аналитики iSuppli. Рост объясняется подготовительным этапом вендоров к предпраздничному ажиотажу, когда потребители буквально сметают с полок практически любые электронные устройства.

Samsung представляет 8GB и 16GB moviNAND память для смартфонов
В дополнение к процессору Orion ARM Cortex A9, компания Samsung анонсировала чипы встроенной памяти moviNAND объемом 8 и 16 ГБ для использования в смартфонах.Новые NAND flash чипы южнокорейского ...

Green House анонсировала линейку SSD с DDR-кешем
Японская компания Green House анонсировала выпуск новой линейки накопителей на основе флеш-памяти ndash; GH-SSDxGS-2MC Series. Новинки включают микросхемы MLC NAND и интерфейс SATA II.В серию входят ...

Samsung представил новые чипсеты, поддерживающие технологию беспроводного U ...
Южнокорейская компания Samsung Electronics представила новый набор микросхем с низким энергопотреблением, поддерживающих стандарт беспроводной универсальной последовательной шины (Wireless USB) с ...

SanDisk представила iNAND Extrem флэш память для планшетных ПК и мобильных ...
Компания SanDisk представила iNAND Extreme EFD (Embedded Flash Drive – встраиваемый флэш привод) – первая продуктовая  линейка SanDisk, предназначенная для работы в «топовых» моделях планшетных компьютеров и прочих мобильных устройств, работающих под управлением, как заявляет компания, передовых операционных систем.Новые модули памяти обеспечивают, со слов производителя, скорость до 50 мегабайт в секунду при последовательной записи и [...]


Уважаемый посетитель, Вы зашли на сайт как незарегистрированный пользователь. Мы рекомендуем Вам зарегистрироваться либо войти на сайт под своим именем.

Логин

Опрос

Оцените работу движка

Лучший из новостных
Неплохой движок
Устраивает ... но ...
Встречал и получше
Совсем не понравился

Copyright © 2010.mobilesobzor.com All Rights Reserved.

Ресурс mobilesobzor .com является общедоступным для всех зарегистрированных пользователей и осуществляет свою деятельность с соблюдением действующего законодательства. Администрация ресурса не осуществляет контроль и не может отвечать за размещаемую пользователями на портале mobilesobzor .com информацию. Вместе с тем, Администрация ресурса резко отрицательно относится к нарушению авторских прав на территории mobilesobzor .com. Поэтому, если Вы являетесь правообладателем исключительных имущественных прав и Ваши права тем или иным образом нарушаются с использованием данного ресурса, мы просим незамедлительно сообщать в службу рассмотрения жалоб письмом (в электронном виде), используя приведенную ниже форму. Ваше сообщение в обязательном порядке будет рассмотрено; Вам поступит сообщение о результатах проведенных действий, относительно предполагаемого нарушения исключительных прав. При получении Вашего сообщения с корректно и максимально полно заполненными данными ему будет присвоен входящий номер и отправлено на адрес отправителя подтверждение получения письма. Жалоба будет рассмотрена в срок, не превышающий 5 (пяти) рабочих дней. Согласно действующим нормам законодательства администрация готова рассмотреть спорные вопросы в рамках досудебного (претензионного или иного) порядка урегулирования. Общие правила поведения на сайте: Начнем с того, что на сайте общаются сотни людей, разных религий и взглядов, и все они являются полноправными посетителями нашего сайта, поэтому если мы хотим чтобы это сообщество людей функционировало нам и необходимы правила. Мы настоятельно рекомендуем прочитать настоящие правила, это займет у вас всего минут пять, но сбережет нам и вам время и поможет сделать сайт более интересным и организованным. Начнем с того, что на нашем сайте нужно вести себя уважительно ко всем посетителям сайта. Не надо оскорблений по отношению к участникам, это всегда лишнее. Если есть претензии - обращайтесь к Админам или Модераторам (воспользуйтесь личными сообщениями). Оскорбление других посетителей считается у нас одним из самых тяжких нарушений и строго наказывается администрацией. У нас строго запрещен расизм, религиозные и политические высказывания. Заранее благодарим вас за понимание и за желание сделать наш сайт более вежливым и дружелюбным. На сайте строго запрещено: - сообщения, не относящиеся к содержанию статьи или к контексту обсуждения - оскорбление и угрозы в адрес посетителей сайта - в комментариях запрещаются выражения, содержащие ненормативную лексику, унижающие человеческое достоинство, разжигающие межнациональную рознь - спам, а также реклама любых товаров и услуг, иных ресурсов, СМИ или событий, не относящихся к контексту обсуждения статьи Давайте будем уважать друг друга и сайт, на который Вы и другие читатели приходят пообщаться и высказать свои мысли. Администрация сайта оставляет за собой право удалять комментарии или часть комментариев, если они не соответствуют данным требованиям. При нарушении правил вам может быть дано предупреждение. В некоторых случаях может быть дан бан без предупреждений. По вопросам снятия бана писать администратору. Оскорбление администраторов или модераторов также караются баном - уважайте чужой труд. Для читателей сайта: Если у Вас есть материалы, которые могут дополнить или улучшить сайт, то мы будем рады разместить Ваши материалы на сайте, указав, при желании, Вас в качестве журналиста проекта. Участвуйте в нашем проекте. Давайте вместе делать ресурс лучше, ведь вместе мы добьемся лучшего! В случае, если Вы нашли какую-либо ошибку или неточность, то Вы можете сообщить об этом используя следующий e-mail адрес: mobilesobzor @yandex.ru Будем рады, если наш ресурс принес Вам пользу. Ждем Вас снова!