OK



20-нм карты памяти от Samsung

Компания Samsung сообщила о завершении разработки плат MLC NAND флэш-памяти, выполненной по 20-нм технологическому процессу. Данная разработка будет использоваться в картах памяти SD-формата и позволит компании расширить ассортимент флэш-накопителей Samsung с емкостью до 32 ГБ, используемых в смартфонах, электронных устройствах и высокопроизводительных картах памяти.
20-нм карты памяти от Samsung

Чипсеты MLC NAND флэш-памяти, выполненной по 20-нм технологическому процессу, обладают производительностью на 50% большей, нежели современные решения по 30-нм технологическому процессу. Производительность при записи на 20-нм карту памяти, при емкости 8 ГБ и повышенной плотности на 30% быстрее, чем у 30-нм карты. Это позволило поднять класс по скорости до десятого (скорость чтения 20 МБ/с и скорость записи до 10 МБ/с). Также сообщается, что с применением новой технологии возрос и уровень безопасности.
Производство продуктов на основе 20-нм MLC NAND флэш-памяти планируется начать в этом году. Накопители будут выпускаться емкостью от 4 до 64 ГБ.

Другие новости на эту тему 20-нм карты памяти от Samsung:

Samsung представил первый в мире 64-битный MLC NAND-флэш модуль памяти, исп ...
Южнокорейская компания Samsung Electronics объявила о том, что первой в мире начала выпуск 64-битных многоячеистых NAND микросхем памяти, использующих высокопроизводительный интерфейс DDR 2.0 и изготовленных по 20-нм технологическому процессу.Данная новинка предназначена для использования в высокопроизводительных мобильных устройствах, таких как смартфоны, планшетные ПК и твердотельные накопители (SSD диски). Она обеспечивает скорость передачи до 400 Мбит/сек, что [...]

Samsung представил высокоскоростной 512 Гб SSD диск на основе асинхронной D ...
Компания Samsung Electronics представила первый твердотельный накопитель (SSD), использующий асинхронную DDR NAND флэш-память. Новый диск, объемом 512 Гб, со слов компании, обеспечивает высокую ...

Samsung представил 3-битную 20-нм 64 ГБ NAND-флеш память
Компания Samsung уже приступила к производству 3-битной NAND памяти емкостью 64 ГБ, выполненной по нормам 20-нм технологического процесса. Надо отметить, что производство такой памяти, но емкостью 32 ГБ компания начала еще в апреле 2010 года. Такая память уже используется в устройствах от компании Apple, что провоцирует распространение слухов о дальнейшем росте объемов встроенной в iOS-гаджеты [...]

Toshiba начнет выпуск 19-нм флеш-памяти
Компания Toshibanbsp;объявила о готовности к производству флеш-памяти типа NAND сnbsp;соблюдением 19-нмnbsp;норм технологическогоnbsp;процесса.В пресс-релизе компании сообщается, что образцы ...

Samsung выпускает высокопроизводительные карты памяти для 4G смартфонов
Южнокорейская компания Samsung Electronics объявила о выпуске высокопроизводительных microSD карт памяти с высокой скоростью передачи данных, которые, как считает производитель, так необходимы для мобильных терминалов, поддерживающих сети четвертого поколения.Новые 32 Гб карты, которые соответствуют классу скорости Class 10, поддерживают скорость передачи данных при записи до 12 Мб/сек, и до 24 Мб/сек при чтении. Новинка оснащена [...]

Samsung показал опытные образцы высокопроизводительных MLC SSD дисков для п ...
Южнокорейская компания Samsung Electronics объявила о начале производства первых опытных образцов твердотельных дисков (SSD) с использованием микросхем NAND флешь памяти, использующих технологию многоуровневых ячеек (MLC) и произведенных по 30 нм технологическому процессу.Массовое производство MLC SSD дисков намечено компанией на следующий месяц. В продажу поступят 2,5-дюймовые модели объемом 100, 200 и 400 Гб, а также 3,5-дюймовые [...]

Флеш-памяти выгоден рост популярности мобильного Интернета
Отрасль, выпускающая микросхемы флеш-памяти типа NAND, получает внушительную подпитку благодаря распространению смартфонов и переходу центров обработки данных на «зеленые» технологии.

OCZ Z-Drive R2 – новые скоростные SSD накопители с PCI-Express
Компания OCZ Technology Group, являющаяся одним из лидеров в разработке решений на основе флеш-памяти, объявила о планах начать серийное производство новой серии SSD накопителей под названием ...

Intel и Micron создали 25 нм NAND с плотностью записи 3 бита на ячейку
Компании Intel и Micron Technology разработали первые образцы более совершенного типа флеш-памяти NAND. Чипы памяти выполнены по 25 нм технологии и плотность записи у них составляет 3 бита на ...

Intel начинает массовое производство 25 нм чипов NAND памяти емкостью 8 Гб
Корпорация Intel начала широкомасштабные поставки чипов NAND памяти, изготовленных по нормам 25 нм техпроцесса. Переход на более ldquo;тонкуюrdquo; технологию производства позволил уменьшить ...

Patriot оснащает свои SSD накопители Zephyr контроллером JMicron JMF612
Один из ведущих мировых поставщиков решений на основе NAND памяти компания Patriot Memory анонсировала новое семейство твердотельных накопителей под названием Zephyr. Новинки выполнены в ...

iPhone 5, возможно, получит 64 Гбайт флеш-пространства
Toshiba развернула производство микросхем флеш-памяти по 24-нм технологическому процессу, обещая, что чипы SmartNAND наряду с компактностью размеров получат усовершенствованный контроллер, который ускоряет скорости чтения и записи.

Hynix: массовое производство NAND памяти на 64 Гбит по 20 нм технологии
Известный южнокорейский производитель памяти компания Hynix Semiconductor объявила о начале массового производства чипов NAND памяти плотностью 64 Гбит с использованием технологического процесса ...

OCZ выпускает SSD накопители RevoDrive 3 и X2 с шиной PCI-Express x4
Компания OCZ Technology Group, известная как поставщик качественных продуктов на основеnbsp; NAND, официально сообщила о выпуске двух новых SSD накопителей под названием RevoDrive 3 и RevoDrive ...

Eye-Fi Connect X2 and Explore X2 карты памяти с Wi-Fi модулем
Компания Eye-Fi начала поставки на рынок карт памяти с модулем Wi-Fi. C 12 марта осуществляются поставки карты памяти Eye-Fi Pro X2, которая обладает емкостью 8 ГБ и может автоматически отправлять фотографии на сервер. Данная модель объединяет процессор ARM926 с тактовой частотой 200 МГц с блоком управления памятью, радиомодулем, флэш-памятью и блоком шифрования данных. Это позволяет [...]

Samsung начинает выпуск скоростной 64 Гбит MLC NAND с интерфейсом Toggle DD ...
Менее года прошло с того момента, как Samsung и Toshiba объединили усилия для разработки более быстрой памяти типа NAND. И вот теперь южнокорейский электронный гигант официально объявил о начале ...

Apple должна перейти на флеш-память нового класса
Купертино еще не одобрило микросхемы флеш-памяти, выполненные по технологическому процессу, меньшему 30 нм, утверждают инсайдеры. Ни 20-нм флеш-модули Samsung, ни 24-нм Toshiba-чипы пока не сертифицированы компанией Стива Джобса.

Toshiba вступает в борьбу с Samsung за место крупнейшего производителя NAND ...
В настоящий момент крупнейшим производителем флэшевой памяти для мобильных устройств является компания Samsung. Но в ближайшее время это положение может измениться. По крайней мере, в штаб-квартире Toshiba считают, что доминированию Samsung в области производства NAND-памяти может прийти конец, поскольку японский производитель может занять нишу образовавшуюся в связи с превышением спроса над предложением на данные устройства. [...]

Toshiba удвоила прибыль благодаря комплектующим для смартфонов
Операционная прибыль японской Toshiba Corp. выросла более чем в два раза благодаря высоким продажам чипов флэш-памяти NAND и жидкокристаллических экранов, использующихся в смартфонах и планшетных компьютерах, таких как iPad и iPhone от Apple.

SanDisk iSSD: гибрид SSD-накопителей и флеш-памяти типа NAND
Американская компания представила совершенно новый класс твердотельных накопителей, призванных прийти на смену не только привычной флеш-памяти типа NAND, но и даже SSD-накопителям. Новинка предназначена для хранения данных в мобильных телефонах, смартфонах, планшетах и лэптопах, в том числе нетбуках и смартбуках.

Intel планирует выпустить сверхбыстрые SSD Lyndonville на базе 25 нм NAND ч ...
Появились свежие подробности о планах корпорации Intel на рынке SSD накопителей. На сегодняшний день самыми быстрыми твердотельными дисками от данного производителя являются решения ...

SanDisk представила iNAND Extrem флэш память для планшетных ПК и мобильных ...
Компания SanDisk представила iNAND Extreme EFD (Embedded Flash Drive – встраиваемый флэш привод) – первая продуктовая  линейка SanDisk, предназначенная для работы в «топовых» моделях планшетных компьютеров и прочих мобильных устройств, работающих под управлением, как заявляет компания, передовых операционных систем.Новые модули памяти обеспечивают, со слов производителя, скорость до 50 мегабайт в секунду при последовательной записи и [...]

Apple разместила заказы на производство модулей памяти DRAM и NAND в Японии ...
Apple не покидает попыток снижения зависимости от поставок комплектующих для своей продукции от компании Samsung, патентная война с которой с каждым днем становится все более ожесточенной.По данным ...

Samsung разработала первую в мире оперативную память DDR4
… которая работает на скорости более чем вдвое превышающей показатель нынешних DDR3-модулей, притом что энергопотребление снижено. Чипы созданы по 30-нм технологическому процессу.

Toshiba представила самые емкие NAND Flash модули памяти
При официальном представлении телефона iPhone 4 несколько удивительным было отсутствие модели с объемом памяти 64 ГБ, хотя соответствующий модуль был представлен компанией Toshiba еще в декабре минувшего года. Впрочем, нельзя исключать, что о телефонах и планшетах с 64 ГБ встроенной памяти мы еще услышим, а заодно и о моделях с вдвое большим объемом. Сегодня компания [...]

OCZ Vertex 2 и Agility 2 - производительные SSD с контроллером SandForce SF ...
Компания OCZ Technology Group, являющаяся одним из ведущих производителей решений на основе NAND памяти, представила новые SSD накопители Vertex 2 и Agility 2. Одной из главных особенностей ...

Стандарт ONFI 3.0 доводит скорость флеш-памяти до 400 МБ/с
Рабочая группа Open NAND Flash Interface (ONFI), отраслевая организация, добивающаяся упрощения интеграции NAND памяти в потребительскую электронику, компьютерные платформы и промышленные ...

Samsung анонсировал 1 ГГц двухъядерный мобильный процессор
Южнокорейская компания Samsung Electronics анонсировала новую модель мобильного процессора на базе ядра ARM Cortex A9 с низким энергопотреблением и изготовленного по 45 нм технологическому процессу. Массовое производство процессоров намечено на первую половину следующего года. Компания также намерена выпустить в следующем году ряд продуктов с этим процессором, включая смартфоны, смартбуки и планшетные компьютеры.Данная новинка имеет аппаратную [...]

Toshiba запустила производство новых 8-Гбайт флеш-микросхем
Японская корпорация приступила к массовому производству флеш-чипов типа NAND, выполненных по 24-нм технологическому процессу. Заявлено, что новый цикл запущен в отношении 64-Гбит изделий с плотностью упаковки два разряда на ячейку — итоговый максимальный объем составляет 8 Гбайт на микросхему.

Kingston увеличивает емкость карт памяти microSDHC до 32 Гб
Компания Kingston Digital объявила о выпуске своих первых карт памяти microSDHC класса быстродействия 4 емкостью 32 Гб. Новые карты памяти microSDHC представляют собой подходящее мобильное решение для смартфонов, которые приобретают все большую популярность и поддерживают установку большого количества различных развлекательных приложений и приложений для работы.  Карты памяти Kingston microSDHC емкостью 32 Гб позволяют хранить порядка [...]

Семейство SSD накопителей Corsair Force пополняют модели емкостью 40, 80 и ...
Американская компания Corsair, известная как поставщик качественных компьютерных компонентов, объявила о расширении своего семейства SSD накопителей Force за счет трех новых моделей. Новинки ...

Представлена 20-нм флеш-память для телефонов
Intel и Micron разработали первую в мире флеш-память типа NAND по 20-нм технологическому процессу, что стало дальнейшим шагом на пути миниатюризации, энергоэффективности и увеличения емкости встроенных в мобильные устройства накопителей данных.

Toshiba разрабатывает NAND память DDR Toggle Mode и обещает более скоростны ...
Японская корпорация Toshiba (точнее, ее подразделение Toshiba America Electronic Components, TAEC) представила свое первые чипы NAND памяти типа DDR Toggle Mode, изготовленные по нормам 32 нм ...

Intel придумала NAND-чип с самой высокой плотностью
Гигант микропроцессорной отрасли начал поставки производителям оборудования 25-нм микросхем флеш-памяти типа NAND с удвоенной по сравнению с предыдущими 34-нм чипами емкостью.

Корпоративные SSD Intel 710 Series Lyndonville в подробностях
Стали известны новые подробности по поводу корпоративных SSD накопителей Intel 710 Series, известных также под кодовым именем Lyndonville. Эти решения, о подготовке которых мы не раз упоминали в ...

ADATA выпустила новый флэш-накопитель N004 с двойным интерфейсом – USB 3.0 ...
Тайваньская компания ADATA Technology представила внешний флэш привод N004 в корпусе формата 2,5 дюйма, оснащенный сразу двумя интерфейсами – USB 3.0 и SATA II. N004 заключен в алюминиевый корпус, а его ёмкость достигает 250 ГБ. Оснащенный 8-канальной технологией, N004 превосходит, со слов производителя, обычные флэш-накопители, достигая высоких скоростей передачи информации – скорость чтения 200 Mб/секунду, [...]

Mach Xtreme представляет доступные 2,5-дюймовые SSD накопители MX-Starter
Вместе с набором двухканальной памяти DDR3 1333 объемом 8 Гб компания Mach Xtreme Technology анонсировала новую линейку твердотельных накопителей MX-Starter, нацеленных на массового потребителя ...

Mushkin анонсировала линейку карт памяти SDHC и microSD
Компанияnbsp;Mushkin объявила о начале выпуска новой линейки карт памяти формата SDHC и microSD, предназначенных для использования в смартфонах, портативных компьютерах и камерах.Карты памяти SDHC ...

32-Гбайт карты памяти SanDisk: мегаобъем по мегацене
На днях американский производитель карт флеш-памяти анонсировал «нечто крупное». Как выяснилось в ходе анонса, речь идет о новой карте памяти для мобильных устройств.

Green House анонсировала линейку SSD с DDR-кешем
Японская компания Green House анонсировала выпуск новой линейки накопителей на основе флеш-памяти ndash; GH-SSDxGS-2MC Series. Новинки включают микросхемы MLC NAND и интерфейс SATA II.В серию входят ...


Уважаемый посетитель, Вы зашли на сайт как незарегистрированный пользователь. Мы рекомендуем Вам зарегистрироваться либо войти на сайт под своим именем.

Логин

Опрос

Оцените работу движка

Лучший из новостных
Неплохой движок
Устраивает ... но ...
Встречал и получше
Совсем не понравился

Copyright © 2010.mobilesobzor.com All Rights Reserved.

Ресурс mobilesobzor .com является общедоступным для всех зарегистрированных пользователей и осуществляет свою деятельность с соблюдением действующего законодательства. Администрация ресурса не осуществляет контроль и не может отвечать за размещаемую пользователями на портале mobilesobzor .com информацию. Вместе с тем, Администрация ресурса резко отрицательно относится к нарушению авторских прав на территории mobilesobzor .com. Поэтому, если Вы являетесь правообладателем исключительных имущественных прав и Ваши права тем или иным образом нарушаются с использованием данного ресурса, мы просим незамедлительно сообщать в службу рассмотрения жалоб письмом (в электронном виде), используя приведенную ниже форму. Ваше сообщение в обязательном порядке будет рассмотрено; Вам поступит сообщение о результатах проведенных действий, относительно предполагаемого нарушения исключительных прав. При получении Вашего сообщения с корректно и максимально полно заполненными данными ему будет присвоен входящий номер и отправлено на адрес отправителя подтверждение получения письма. Жалоба будет рассмотрена в срок, не превышающий 5 (пяти) рабочих дней. Согласно действующим нормам законодательства администрация готова рассмотреть спорные вопросы в рамках досудебного (претензионного или иного) порядка урегулирования. Общие правила поведения на сайте: Начнем с того, что на сайте общаются сотни людей, разных религий и взглядов, и все они являются полноправными посетителями нашего сайта, поэтому если мы хотим чтобы это сообщество людей функционировало нам и необходимы правила. Мы настоятельно рекомендуем прочитать настоящие правила, это займет у вас всего минут пять, но сбережет нам и вам время и поможет сделать сайт более интересным и организованным. Начнем с того, что на нашем сайте нужно вести себя уважительно ко всем посетителям сайта. Не надо оскорблений по отношению к участникам, это всегда лишнее. Если есть претензии - обращайтесь к Админам или Модераторам (воспользуйтесь личными сообщениями). Оскорбление других посетителей считается у нас одним из самых тяжких нарушений и строго наказывается администрацией. У нас строго запрещен расизм, религиозные и политические высказывания. Заранее благодарим вас за понимание и за желание сделать наш сайт более вежливым и дружелюбным. На сайте строго запрещено: - сообщения, не относящиеся к содержанию статьи или к контексту обсуждения - оскорбление и угрозы в адрес посетителей сайта - в комментариях запрещаются выражения, содержащие ненормативную лексику, унижающие человеческое достоинство, разжигающие межнациональную рознь - спам, а также реклама любых товаров и услуг, иных ресурсов, СМИ или событий, не относящихся к контексту обсуждения статьи Давайте будем уважать друг друга и сайт, на который Вы и другие читатели приходят пообщаться и высказать свои мысли. Администрация сайта оставляет за собой право удалять комментарии или часть комментариев, если они не соответствуют данным требованиям. При нарушении правил вам может быть дано предупреждение. В некоторых случаях может быть дан бан без предупреждений. По вопросам снятия бана писать администратору. Оскорбление администраторов или модераторов также караются баном - уважайте чужой труд. Для читателей сайта: Если у Вас есть материалы, которые могут дополнить или улучшить сайт, то мы будем рады разместить Ваши материалы на сайте, указав, при желании, Вас в качестве журналиста проекта. Участвуйте в нашем проекте. Давайте вместе делать ресурс лучше, ведь вместе мы добьемся лучшего! В случае, если Вы нашли какую-либо ошибку или неточность, то Вы можете сообщить об этом используя следующий e-mail адрес: mobilesobzor @yandex.ru Будем рады, если наш ресурс принес Вам пользу. Ждем Вас снова!