OK



Samsung представила самую быструю флеш-память для мобильных устройств

Южнокорейский производитель выпустил одну из самых скоростных микросхем флеш-памяти для мобильных устройств. Чип OneNAND располагает объемом в 1 гигабит и построен на 30-нм технологическом процессе.
Новинка менее плотно пакует информацию, но более быстро считывает ее, если сравнивать с традиционной NAND-памятью. Утверждается, что скорость чтения достигает 70 Мбайт в секунду, что в четыре с лишним раза превышает традиционные 17 Мбайт в секунду.Дополнительная скорость окажется востребованной в смартфонах, помогая требовательным приложениям либо выступая в качестве буфера для производительных задач.Тестовые образцы новой памяти уже поставляются партнерам и заказчикам, к концу месяца производство выйдет на полную мощность. Клиенты не афишируются, но, очевидно, среди них будет Apple, как один из крупнейших потребителей флеш-памяти.
 
Samsung представила самую быструю флеш-память для мобильных устройств
 

 



По материалам Electronista

© Юрий Стрельченко, СОТОВИК

Другие новости на эту тему Samsung представила самую быструю флеш-память для мобильных устройств:

SanDisk iSSD: гибрид SSD-накопителей и флеш-памяти типа NAND
Американская компания представила совершенно новый класс твердотельных накопителей, призванных прийти на смену не только привычной флеш-памяти типа NAND, но и даже SSD-накопителям. Новинка предназначена для хранения данных в мобильных телефонах, смартфонах, планшетах и лэптопах, в том числе нетбуках и смартбуках.

Toshiba создала мобильную флеш-память на 128 Гбайт
Японская корпорация представила микросхемы флеш-памяти типа NAND емкостью 128 Гбайт, предназначенные для установки в MP3-проигрыватели и телефоны. Столь объемные чипы встроенной флеш-памяти являются рекордными для отрасли.

Следующий iPhone угрожает отрасли флеш-памяти
Как предрекают эксперты DRAMeXchange, выход iPhone следующего поколения вновь приведет к нехватке микросхем флеш-памяти. Связано это с тем, что смартфоны Apple снабжены внушительными по емкости NAND-чипами, соответственно производители должны работать на полную катушку.

Samsung представил 3-битную 20-нм 64 ГБ NAND-флеш память
Компания Samsung уже приступила к производству 3-битной NAND памяти емкостью 64 ГБ, выполненной по нормам 20-нм технологического процесса. Надо отметить, что производство такой памяти, но емкостью 32 ГБ компания начала еще в апреле 2010 года. Такая память уже используется в устройствах от компании Apple, что провоцирует распространение слухов о дальнейшем росте объемов встроенной в iOS-гаджеты [...]

Samsung троекратно ускорила флеш-память
Анонс южнокорейского гиганта касается новой многочиповой 512-Мбит памяти с фазовым переходом, потенциально способной записывать данные в три раза быстрее по сравнению с существующими флеш-микросхемами типа NOR.

Toshiba начнет выпуск 19-нм флеш-памяти
Компания Toshibanbsp;объявила о готовности к производству флеш-памяти типа NAND сnbsp;соблюдением 19-нмnbsp;норм технологическогоnbsp;процесса.В пресс-релизе компании сообщается, что образцы ...

Samsung moviNAND: быстрая флеш-память для смартфонов
Второй после Nokia крупнейший в мире производитель мобильных телефоновсобирается оснащать все свои смартфоны высокопроизводительнымифлеш-чипами встроенной памяти moviNAND объемом на 8 и 16 Гбайт.

Samsung удвоила скорость microSD-карт для смартфонов
Новые флеш-карточки для мобильных устройств, выпущенные с максимумом объема в 32 Гбайт, умеют обмениваться данными на скоростях до 24 и 12 Мбайт/с в режимах чтения и записи соответственно.

SSD ускорятся вдвое
Рабочая группа, занимающаяся стандартизацией интерфейсов флеш-памяти типа NAND, анонсировала ONFI 3.0, спецификации на флеш-контроллеры, призванные удвоить скорость передачи данных SSD-накопителей вплоть до 400 Мбайт/с.

Флеш-память NAND-типа стала плотнее
Intel и Micron Technology анонсировали флеш-память типа NAND с более плотной упаковкой данных. Новинка пригодится в целях экономии места на платах с попутным ростом емкости запоминающих устройств в потребительской электронике.

MacBook Air получили более быструю флеш-память
Тонкие ноутбуки MacBook Air принадлежат, без сомнения, к весьма популярным продуктам Apple. Компания достигла этого благодаря полной переработке дизайна, представив решения в конце 2010 года. В этом ...

32-Гбайт карты памяти SanDisk: мегаобъем по мегацене
На днях американский производитель карт флеш-памяти анонсировал «нечто крупное». Как выяснилось в ходе анонса, речь идет о новой карте памяти для мобильных устройств.

Toshiba запустила производство новых 8-Гбайт флеш-микросхем
Японская корпорация приступила к массовому производству флеш-чипов типа NAND, выполненных по 24-нм технологическому процессу. Заявлено, что новый цикл запущен в отношении 64-Гбит изделий с плотностью упаковки два разряда на ячейку — итоговый максимальный объем составляет 8 Гбайт на микросхему.

24-нм флеш-память Toshiba – для iPhone 5?
Компания Toshiba обновила сведения о производимой ей NAND-флеш памяти, что может указывать на то, что именно новое поколение данной памяти будет предназначено для iPhone 5. Новая версия называется SmartNAND и выполнена по 24-нм техпроцессу. Объем памяти может составлять до 64 ГБ и она «предназначена для медиаплееров, планшетных компьютеров и других устройств». Кроме уменьшения физических размеров [...]

Samsung представил высокоскоростной 512 Гб SSD диск на основе асинхронной D ...
Компания Samsung Electronics представила первый твердотельный накопитель (SSD), использующий асинхронную DDR NAND флэш-память. Новый диск, объемом 512 Гб, со слов компании, обеспечивает высокую ...

MacBook Air получат невероятно производительную флеш-память
Apple, сообразно слухам, оснастит «самые тонкие и легкие» ноутбуки планеты, обновление которых состоится уже в этом месяце, высокоскоростными 19-нм NAND-микросхемами флеш-памяти, способными обмениваться данными с производительностью 400 Мбайт/с.

Apple разместила заказы на производство модулей памяти DRAM и NAND в Японии ...
Apple не покидает попыток снижения зависимости от поставок комплектующих для своей продукции от компании Samsung, патентная война с которой с каждым днем становится все более ожесточенной.По данным ...

Apple повременит с заключением контрактов на поставку флеш-памяти
Словно Джулия Ламберт, Apple решила выдержать эффектную паузу, попридержав заключение новых контрактов на поставку модулей флеш-памяти типа NAND, широко используемых в iPhone, iPod touch и новейшем iPad.

Intel и Micron создали 25 нм NAND с плотностью записи 3 бита на ячейку
Компании Intel и Micron Technology разработали первые образцы более совершенного типа флеш-памяти NAND. Чипы памяти выполнены по 25 нм технологии и плотность записи у них составляет 3 бита на ...

Стандарт ONFI 3.0 доводит скорость флеш-памяти до 400 МБ/с
Рабочая группа Open NAND Flash Interface (ONFI), отраслевая организация, добивающаяся упрощения интеграции NAND памяти в потребительскую электронику, компьютерные платформы и промышленные ...

Micron разработала высокоплотную и скоростную флеш-память
Американская Micron Technology продемонстрировала флеш-память типа NOR с последовательным периферийным интерфейсом (Serial Peripheral Interface, SRI). Новинка характеризуется емкостью от 256 Мбит до 1 Гбит и производительностью чтения в 54 Мбайт/с на тактовой частоте 108 МГц.

Представлена 20-нм флеш-память для телефонов
Intel и Micron разработали первую в мире флеш-память типа NAND по 20-нм технологическому процессу, что стало дальнейшим шагом на пути миниатюризации, энергоэффективности и увеличения емкости встроенных в мобильные устройства накопителей данных.

Samsung S5770 Wave 575: новый Bada-телефон
Не успели остыть софиты прессы после анонса S8530 Wave II, как эволюции оригинального S8500 Wave, а южнокорейский вендор выпустил еще одну Bada-модель, ставшую шестым представителем семейства.

Micron и Unity разработают альтернативу флеш-памяти
Компания Unity Semiconductor подписала соглашение с Micron Technology о совместной разработке памяти нового поколения CMOx, которая призвана заменить традиционную флеш-памяти типа NAND в ...

Toshiba представила самые скоростные в мире SDHC- и miniSDHC-карты UHS-I
Японская фирма вывела на сцену новые карты флеш-памяти двух типов, стандартного SDHC и компактного miniSDHC, оснащенных поддержкой стандарта Ultra High Speed I (UHS-I), который помогает достичь невероятных скоростей чтения и записи данных. На полную катушку новинки функционирует только в ридерах USB 3.0 — камеры пока не способны их подхватить.

Грядет бестранзисторная замена флеш-памяти
Unity Semiconductor и Micron Technology договорились о двухлетнем приложении совместных усилий к разработке нового типа твердотельной памяти CMOx, которая, будучи призванной заменить флеш-память типа NAND, не требует участия транзисторов.

Цена на флеш-память упали на 20%
Контрактные цены на NAND-микросхемы флеш-памяти, которой оснащены устройства вроде iPhone и iPad, в мае потеряли в цене почти пятую часть ввиду низкого на них спроса не только со стороны Apple, но и прочих крупных клиентов.

Samsung готовит NFC-чип со встроенной флеш-памятью
Крупнейший в мире производитель микросхем продемонстрировал NFC-чип для смартфонов, включающий флеш-память и поддержку обновления своей «прошивки».

Планшет Samsung выйдет в июне
По слухам, планшетный компьютер Samsung Galaxy Tab будет работать под управлением 1,2-ГГц ARM-процессора Cortex-A8, что выведет гаджет в разряд одного их самых производительных на сегодня устройств в данном классе.

20-нм карты памяти от Samsung
Компания Samsung сообщила о завершении разработки плат MLC NAND флэш-памяти, выполненной по 20-нм технологическому процессу. Данная разработка будет использоваться в картах памяти SD-формата и позволит компании расширить ассортимент флэш-накопителей Samsung с емкостью до 32 ГБ, используемых в смартфонах, электронных устройствах и высокопроизводительных картах памяти. Чипсеты MLC NAND флэш-памяти, выполненной по 20-нм технологическому процессу, обладают [...]

Green House анонсировала линейку SSD с DDR-кешем
Японская компания Green House анонсировала выпуск новой линейки накопителей на основе флеш-памяти ndash; GH-SSDxGS-2MC Series. Новинки включают микросхемы MLC NAND и интерфейс SATA II.В серию входят ...

SanDisk представила iNAND Extrem флэш память для планшетных ПК и мобильных ...
Компания SanDisk представила iNAND Extreme EFD (Embedded Flash Drive – встраиваемый флэш привод) – первая продуктовая  линейка SanDisk, предназначенная для работы в «топовых» моделях планшетных компьютеров и прочих мобильных устройств, работающих под управлением, как заявляет компания, передовых операционных систем.Новые модули памяти обеспечивают, со слов производителя, скорость до 50 мегабайт в секунду при последовательной записи и [...]

Samsung готовит новый стандарт карт флеш-памяти UFS
К первой половине 2011 года южнокорейская корпорация наметила предложить отрасли новый стандарт карт флеш-памяти, призванный заменить все прочие, включая eMMC и даже очень популярный SD.

Открыта новая фабрика микросхем флеш-памяти
Intel и Micron Technology открыли в Сингапуре новую фабрику по производству чипов флеш-памяти для планшетов и мобильных телефонов. Стоимость завода составила 3 млрд долларов.

Флеш-память подешевеет до $1 за гигабайт
Цены на флеш-память способны достичь уровня $1/Гбайт, хотя это может оказаться недостаточным для разжигания интереса к SSD-накопителям, предупреждают аналитики iSuppli. Если в начале года 1 Гбайт стандартной флеш-памяти типа NAND стоили $2, то к осени они упадут до $1,20 за микросхемы с плотностью упаковки три бита на ячейку.

Toshiba похвасталась 19-нм флеш-микросхемами
… и это является прямым намеком на появление смартфонов и планшетов со 128-Гбайт объемом флеш-хранилища без серьезного увеличения их себестоимости.

Samsung представил первый в мире 64-битный MLC NAND-флэш модуль памяти, исп ...
Южнокорейская компания Samsung Electronics объявила о том, что первой в мире начала выпуск 64-битных многоячеистых NAND микросхем памяти, использующих высокопроизводительный интерфейс DDR 2.0 и изготовленных по 20-нм технологическому процессу.Данная новинка предназначена для использования в высокопроизводительных мобильных устройствах, таких как смартфоны, планшетные ПК и твердотельные накопители (SSD диски). Она обеспечивает скорость передачи до 400 Мбит/сек, что [...]

Hynix: массовое производство NAND памяти на 64 Гбит по 20 нм технологии
Известный южнокорейский производитель памяти компания Hynix Semiconductor объявила о начале массового производства чипов NAND памяти плотностью 64 Гбит с использованием технологического процесса ...

Samsung Omnia 7: WP7-смартфон с громадным объемом флеш-памяти
Второй после Nokia крупнейший в мире вендор мобильных телефонов предложил аппарат с новейшей Windows Phone 7, 8 либо 16 Гбайт встроенной флеш-памяти которого могут быть дополнены microSD-карточками — итоговое пространство для хранения данных составит 40 или 48 Гбайт.

Цены на NAND-флеш память вырастут
В связи с продолжающимся ростом спроса на микросхемы флеш-памяти типа NAND уже в третьем квартале цены на них однозначно поднимутся, предупреждают аналитики iSuppli. Рост объясняется подготовительным этапом вендоров к предпраздничному ажиотажу, когда потребители буквально сметают с полок практически любые электронные устройства.


Уважаемый посетитель, Вы зашли на сайт как незарегистрированный пользователь. Мы рекомендуем Вам зарегистрироваться либо войти на сайт под своим именем.

Логин

Опрос

Оцените работу движка

Лучший из новостных
Неплохой движок
Устраивает ... но ...
Встречал и получше
Совсем не понравился

Copyright © 2010.mobilesobzor.com All Rights Reserved.

Ресурс mobilesobzor .com является общедоступным для всех зарегистрированных пользователей и осуществляет свою деятельность с соблюдением действующего законодательства. Администрация ресурса не осуществляет контроль и не может отвечать за размещаемую пользователями на портале mobilesobzor .com информацию. Вместе с тем, Администрация ресурса резко отрицательно относится к нарушению авторских прав на территории mobilesobzor .com. Поэтому, если Вы являетесь правообладателем исключительных имущественных прав и Ваши права тем или иным образом нарушаются с использованием данного ресурса, мы просим незамедлительно сообщать в службу рассмотрения жалоб письмом (в электронном виде), используя приведенную ниже форму. Ваше сообщение в обязательном порядке будет рассмотрено; Вам поступит сообщение о результатах проведенных действий, относительно предполагаемого нарушения исключительных прав. При получении Вашего сообщения с корректно и максимально полно заполненными данными ему будет присвоен входящий номер и отправлено на адрес отправителя подтверждение получения письма. Жалоба будет рассмотрена в срок, не превышающий 5 (пяти) рабочих дней. Согласно действующим нормам законодательства администрация готова рассмотреть спорные вопросы в рамках досудебного (претензионного или иного) порядка урегулирования. Общие правила поведения на сайте: Начнем с того, что на сайте общаются сотни людей, разных религий и взглядов, и все они являются полноправными посетителями нашего сайта, поэтому если мы хотим чтобы это сообщество людей функционировало нам и необходимы правила. Мы настоятельно рекомендуем прочитать настоящие правила, это займет у вас всего минут пять, но сбережет нам и вам время и поможет сделать сайт более интересным и организованным. Начнем с того, что на нашем сайте нужно вести себя уважительно ко всем посетителям сайта. Не надо оскорблений по отношению к участникам, это всегда лишнее. Если есть претензии - обращайтесь к Админам или Модераторам (воспользуйтесь личными сообщениями). Оскорбление других посетителей считается у нас одним из самых тяжких нарушений и строго наказывается администрацией. У нас строго запрещен расизм, религиозные и политические высказывания. Заранее благодарим вас за понимание и за желание сделать наш сайт более вежливым и дружелюбным. На сайте строго запрещено: - сообщения, не относящиеся к содержанию статьи или к контексту обсуждения - оскорбление и угрозы в адрес посетителей сайта - в комментариях запрещаются выражения, содержащие ненормативную лексику, унижающие человеческое достоинство, разжигающие межнациональную рознь - спам, а также реклама любых товаров и услуг, иных ресурсов, СМИ или событий, не относящихся к контексту обсуждения статьи Давайте будем уважать друг друга и сайт, на который Вы и другие читатели приходят пообщаться и высказать свои мысли. Администрация сайта оставляет за собой право удалять комментарии или часть комментариев, если они не соответствуют данным требованиям. При нарушении правил вам может быть дано предупреждение. В некоторых случаях может быть дан бан без предупреждений. По вопросам снятия бана писать администратору. Оскорбление администраторов или модераторов также караются баном - уважайте чужой труд. Для читателей сайта: Если у Вас есть материалы, которые могут дополнить или улучшить сайт, то мы будем рады разместить Ваши материалы на сайте, указав, при желании, Вас в качестве журналиста проекта. Участвуйте в нашем проекте. Давайте вместе делать ресурс лучше, ведь вместе мы добьемся лучшего! В случае, если Вы нашли какую-либо ошибку или неточность, то Вы можете сообщить об этом используя следующий e-mail адрес: mobilesobzor @yandex.ru Будем рады, если наш ресурс принес Вам пользу. Ждем Вас снова!